Поиск по сайту  


Толкование ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА


Микроэлектроника - наиболее значительное и, как считают многие, важнейшее научно-техническое достижение современности. Сравнить ее можно с такими поворотными событиями в истории техники, как изобретение книгопечатания в XVI веке, создание паровой машины в XVIII веке и развитие электротехники в XIX. И когда сегодня речь заходит о научно-технической революции, то в первую очередь имеется в виду именно микроэлектроника. Как ни одно другое техническое достижение наших дней, она пронизывает все сферы жизни и делает реальностью то, что еще вчера было просто невозможно себе представить. Чтобы убедиться в этом, достаточно вспомнить о карманных микрокалькуляторах, миниатюрных радиоприемниках, электронных управляющих устройствах в бытовых приборах, часах, компьютерах и программируемых ЭВМ. И это лишь небольшая часть области ее применения! Своим возникновением и самим существованием микроэлектроника обязана созданию нового сверхминиатюрного электронного элемента - интегральной микросхемы. Появление этих схем, собственно, не было каким-то принципиально новым изобретением - оно прямо вытекало из логики развития полупроводниковых приборов. Поначалу, когда полупроводниковые элементы только входили в жизнь, каждый транзистор, резистор или диод использовался по отдельности, то есть заключался в свой индивидуальный корпус и включался в схему при помощи своих индивидуальных контактов. Так поступали даже в тех случаях, когда приходилось собирать множество однотипных схем из одних и тех же элементов. Но постепенно пришло понимание того, что подобные устройства рациональнее не собирать из отдельных элементов, а сразу изготавливать на одном общем кристалле, тем более что полупроводниковая электроника создавала для этого все предпосылки. В самом деле, все полупроводниковые элементы по своему устройству очень похожи друг на друга, имеют одинаковый принцип действия и различаются только взаиморасположением р-п областей. Эти р-п области, как мы помним, создаются путем внесения однотипных примесей в поверхностный слой полупроводникового кристалла. Причем надежная и со всех точек зрения удовлетворительная работа подавляющего большинства полупроводниковых элементов обеспечивается при толщине поверхностного рабочего слоя 467 в тысячные доли миллиметра. В самых миниатюрных транзисторах обычно используется только верхний слой полупроводникового кристалла, составляющий всего 1 % его толщины. Остальные 99% выполняют роль носителя или подложки, так как без подложки транзистор просто мог разрушиться от малейшего прикосновения. Следовательно, используя технологию, применяемую для изготовления отдельных электронных компонентов, можно сразу создать на одном кристалле законченную схему из нескольких десятков, сотен и даже тысяч таких ком* понентов. Выигрыш от этого будет огромный. Во-первых, сразу снизятся затраты (стоимость микросхемы обычно в сотни раз меньше, чем совокупная стоимость всех электронных элементов ее составляющих). Во-вторых, такое устройство будет гораздо надежнее (как показывает опыт, в тысячи и десятки тысяч раз), а это имеет колоссальное значение, поскольку поиск неисправности в схеме из десятков или сотен тысяч электронных компонентов превращается в чрезвычайно сложную проблему. В-третьих, из-за того, что все электронные элементы интегральной микросхемы в сотни и тысячи раз меньше своих аналогов в обычной сборной схеме, их энергопотребление намного меньше, а быстродействие - гораздо выше. Ключевым событием, возвестившем приход интегрализации в электронику, явилось предложение американского инженера Дж. Килби из фирмы получать эквивалентные элементы для всей схемы, такие как регистры, конденсаторы, транзисторы и диоды в монолитном куске чистого кремния. Первую интегральную полупроводниковую схему Килби создал летом 1958 года. А уже в 1961 году фирма выпустила первые серийные микросхемы для ЭВМ: схему совпадений, полусдвигающий регистр и триггер. В том же году производство полупроводниковых интегральных логических схем освоила фирма . В следующем году появились интегральные схемы других фирм. В короткое время в интегральном исполнении были созданы различные типы усилителей. В 1962 году фирма RCA разработала интегральные микросхемы матриц памяти для запоминающих устройств ЭВМ. Постепенно выпуск микросхем был налажен во всех странах - эра микроэлектроники началась. Исходным материалом для интегральной микросхемы обычно служит необработанная пластина из чистого кремния. Она имеет сравнительно большие размеры, так как на ней одновременно изготавливают сразу несколько сотен однотипных микросхем. Первая операция состоит в том, что под воздействием кислорода при температуре 1000 градусов на поверхности этой пластины формируют слой двуокиси кремния. Оксид кремния отличается большой химической и механической стойкостью и обладает свойствами прекрасного диэлектрика, обеспечивающего надежную изоляцию расположенному под ним кремнию. Следующий шаг - внесение примесей для создания зон р или п проводимости. Для этого оксидную пленку удаляют с тех мест пластины, которые соответствуют отдельным электронным компонентам. Выделение нужных участков происходит с помощью процесса, получившего название фотолитографии. Сначала весь слой оксида покрывали светочувствительным составом (фоторезистом), который игра 468 ет роль фотографической пленки - его можно засвечивать и проявлять. После этого через специальный фотошаблон, содержащий рисунок поверхности полупроводникового кристалла, пластину освещают ультрафиолетовыми лучами Под воздействием света на слое оксида формируется плоский рисунок, причем незасвеченные участки остаются светлыми, а все остальные - затемненными В том месте, где фоторезистор подвергся действию света, образуются нерастворимые участки пленки, стойкие к кислоте. Затем пластину обрабатывают растворителем, который удаляет фоторезист с засвеченных участков. С открывшихся мест (и только с них) слой оксида кремния вытравливают с помощью кислоты. В результате в нужных местах оксид кремния растворяется и открываются <окна> чистого кремния, готовые к внесению примесей (лигированию). Для этого поверхность подложки при температуре 900-1200 градусов подвергают воздействию нужной примеси, например, фосфора или мышьяка, для получения проводимости п-типа. Атомы примеси проникают в глубь чистого кремния, но отталкиваются его оксидом. Обработав пластину одним видом примеси, готовят ее для лигирования другим видом - поверхность пластины вновь покрывают слоем оксида, проводят новую фотолитографию и травление, в результате чего открываются новые <окошки> кремния. Вслед за тем следует новое лигирование, например бором, для получения проводимости р-типа. Так на всей поверхности кристалла в нужных местах образуются рип области. (Изоляция между отдельными элементами может создаваться несколькими способами: такой изоляцией может служить слой оксида кремния, можно также создавать в нужных местах запирающие рп переходы.) Следующий этап обработки связан с нанесением токопроводящих соединений (токопроводящих линий) между элементами интегральной схемы, а также между этими элементами и контактами для подключения внешних цепей. Для этого на подложку напыляют тонкий слой алюминия, который оседает в виде тончайшей пленки. Ее подвергают фотолитографической обработке и травлению, аналогичным описанным выше. В результате от всего слоя металла остаются только тонкие токопроводяшие линии и контактные площадки. В заключение всю поверхность полупроводникового кристалла покрывают защитным слоем (чаще всего, силикатным стеклом), который затем удаляют с контактных площадок. Все изготовленные микросхемы подвергаются строжайшей проверке на контрольно-испытательном стенде. Дефектные схемы помечаются красной точкой. Наконец кристалл разрезается на отдельные пластинки-микросхемы, каждая из которых заключается в прочный корпус с выводами для присоединения к внешним цепям. Сложность интегральной схемы характеризуется показателем, который получил название степени интеграции. Интегральные схемы, насчитывающие более 100 элементов, называются микросхемами с малой степенью интеграции; схемы, содержащие до 1000 элементов, - интегральными схемами со средней степенью интеграции; схемы, содержащие до десятка тысяч элементов, - большими интегральными схемами. Уже изготавливаются схемы, содержащие до миллиона элементов (они называются сверхбольшими). Постепенное повышение интеграции привело к тому, что схемы с каждым годом становятся все более миниатюр 469 ными и соответственно все более сложными Огромное количество электронных устройств, имевших раньше большие габариты, умещаются теперь на крошечной кремниевой пластинке. Чрезвычайно важным событием на этом пути стало создание в 1971 году американской фирмой <Интел> единой интегральной схемы для выполнения арифметических и логических операций - микропроцессора. Это повлекло за собой грандиозный прорыв микроэлектроники в сферу вычислительной техники.

Найти все значения ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА:

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА - это ...

Толкование ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА

Определение ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА означает ...

Синоним к ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА

Реферат на тему ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА



Мы будем признательны Вам, если Вы разместите ссылку на нашу страницу:
На блоге


На форуме (bb-код):


Код нашей кнопки:
ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА


Прямая ссылка на эту страницу


//ССЫЛКИ БЫЛИ ТУТ

Все словари

Словарь Ожегова
Словарь Даля
Словарь Ушакова
Словарь церковных терминов
Энциклопедия юриста
Современный толковый словарь
Словарь психиатрических терминов
Словарь лекарственных трав
Современный словарь
Энциклопедия относительного и абсолютного знания
Энциклопедия мировых сенсаций XX века том 1-2
Энциклопедический справочник стран
Словарь Ефремовой
Энциклопедический словарь русской цивилизации
Энциклопедический словарь конституционного права
Словарь синонимов
Словарь воровского жаргона
Теософский словарь
Энциклопедический справочник стран и столиц
Энциклопедия чудес
Золотая книга эмиграции
Театральная энциклопедия
Сто великих изобретений
Полный словарь медицинских терминов
Полная акцентуированная парадигма по А. А. Зализняку
Kladr
Новейший философский словарь
Словарь по политологии
Философский энциклопедический словарь
Энциклопедия третьего Рейха
Казачий словарь-справочник
Энциклопедия значений имен
Энциклопедия обрядов и обычаев
Энциклопедия. История философии
Энциклопедия. Мифы древнего Египта

Ваши пожелания


© 2018 slovco.ru Словцо Контакты Rambler's Top100

s1 s2 s3 s4 s5 s6 s7 s8 s9 s10 s11 s12 s13 s14 s15 s16 s17 s18 s19 s20 s21 s22 s23 s24 s25 s26 s27 s28 s29 s30 s31 s32 s33 s34 s35 s36 s37 s38 s39 s40 s41 s42 s43 s44 s45 s46 s47 s48 s49 s50 s51 s52 s53 s54 s55 s56 s57 s58 s59 s60 s61 s62 s63 s64 s65 s66 s67 s68 s69 s70 s71 s72 s73 s74 s75 s76 s77 s78 s79 s80 s81 s82 s83 s84 s85 s86 s87 s88 s89 s90 s91 s92 s93 s94 s95 s96 s97 s98 s99 s100 s101 s102 s103 s104 s105 s106 s107 s108 s109 s110 s111 s112 s113 s114 s115 s116 s117 s118 s119 s120 s121 s122 s123 s124 s125 s126 s127 s128 s129 s130 s131 s132 s133 s134 s135 s136 s137 s138 s139 s140 s141 s142 s143 s144 s145 s146 s147 s148 s149 s150 s151 s152 s153 s154 s155 s156 s157 s158 s159 s160 s161 s162 s163 s164 s165 s166 s167 s168 s169 s170 s171 s172 s173 s174 s175 s176 s177 s178 s179 s180 s181 s182 s183 s184 s185 s186 s187 s188 s189 s190 s191 s192 s193 s194 s195 s196 s197 s198 s199 s200 s201 s202 s203 s204 s205 s206 s207 s208 s209 s210 s211 s212 s213 s214 s215 s216 s217 s218 s219 s220 s221 s222 s223 s224 s225 s226 s227 s228 s229 s230 s231 s232 s233 s234 s235 s236 s237 s238 s239 s240 s241 s242 s243 s244 s245 s246 s247 s248 s249 s250